Trên thế giới và trong nước ta hiện nay, việc nghiên cứu chế tạo các hạt nano, đặc biệt là các hạt nano phát quang với hiệu suất phát quang cao cho các ứng dụng thực tiễn được quan tâm nghiên cứu rất nhiều. Trên thế giới, mặc dù đã có một số loại chấm lượng tử đã trở thành thương phẩm như các chấm lượng tử CdSe/ZnS của hãng Evidot (Hoa Kỳ) hay các chấm lượng tử đã được bọc lớp hợp sinh cho ứng dụng sinh học của hãng Invirogen, nhưng các chấm lượng tử này có giá thành rất đắt nên việc đưa chúng ứng dụng thực tiễn là chưa rộng rãi, các chấm lượng tử thương phẩm vẫn chỉ được sử dụng nhiều cho mục đích nghiên cứu của các phòng thí nghiệm, do đó nghiên cứu chế tạo các chấm lượng tử có hiệu suất phát quang cao và độ ổn định quang tốt vẫn đang là vấn đề rất thời sự và thu hút được rất nhiều các nghiên cứu ở trong và ngoài nước.

Để đưa vào ứng dụng thực tế, các chấm lượng tử bán dẫn chế tạo được phải có kích thước đồng đều, dải phát xạ hẹp, hiệu suất huỳnh quang và độ bền quang cao, không bị kết đám trong quá trình bảo quản. Mặc dù trong các nghiên cứu trước đây, chúng tôi đã chế tạo được các hệ chấm lượng tử CdSe phân tán trong nước có hiệu suất lượng tử tương đối tốt,  phát xạ huỳnh quang ổn định sau nhiều tháng. Tuy nhiên, dải phát xạ của các chấm lượng tử cần được thu hẹp hơn nữa, đồng thời sau một thời gian bảo quản các chấm lượng tử có hiện tượng kết đám, không thể sử dụng đánh dấu sinh học được. Do đó việc nghiên cứu làm tăng hiệu suất phát xạ, thu hẹp độ vạch phổ huỳnh quang của các chấm lượng tử cũng như nghiên cứu tìm  điều kiện chống kết đám cho các chấm lượng tử và điều kiện để kéo dài tuổi thọ huỳnh quang của chúng là hết sức cần thiết. Đó là lý do mà  đề tài được thực hiện.

Tải file Nghiên cứu ổn định bề mặt và nâng cao hiệu suất phát xạ của các chấm lượng tử bán dẫn AIIBVI tại đây