Chế tạo được các chấm lượng tử bán dẫn AIIBVI (CdS hoặc CdSe hoặc CdTe) có bề mặt ổn định nhờ các lớp vỏ vô cơ (như ZnS, CdS hoặc ZnSe) hoặc silica, có hiệu suất huỳnh quang cao, hướng tới đánh dấu sinh học và những ứng dụng thực tiễn khác của chúng

- Chế tạo và nghiên cứu các đặc trưng quang học của các chấm lượng tử bán dẫn AIIBVI (CdS hoặc CdSe hoặc CdTe) được thụ động hóa bề mặt bởi các lớp vỏ vô cơ (như ZnS, CdS hoặc ZnSe) hoặc lớp vỏ silica.
- Nghiên cứu tính ổn định quang và đánh giá hiệu suất phát xạ của các chấm lượng tử này so với các chấm lượng tử chưa được thụ động hóa bề mặt.
- Nghiên cứu tính ổn định quang và hiệu suất phát xạ của các chấm lượng tử theo thời gian bảo quản.
- Đưa ra điều kiện tối ưu trong quy trình chế tạo để có được các chấm lượng tử với phát xạ tốt nhất, hướng tới ứng dụng đánh dấu sinh học

(1) Chế tạo được các chấm lượng tử có hoặc không có lớp vỏ bọc CdSe, CdS, hoặc CdTe và các chấm lượng tử CdS/ZnS, CdSe/CdS, hoặc CdTe/CdS hoặc các chấm lượng tử AIIBVI bọc silica được cải thiện hiệu suất phát xạ và độ ổn định quang.
(2) Các chấm lượng tử đã chế tạo được phân tán trong các dung môi hữu cơ, trong nước hoặc trong các nền polymer và silica định hướng cho các ứng dụng cụ thể.
- Tạp chí quốc gia: 1
- Hội thảo quốc tế: 1
- Hội thảo quốc gia: 1
- Khóa luận tốt nghiệp: 2

Tải file Nghiên cứu ổn định bề mặt và nâng cao hiệu suất phát xạ của các chấm lượng tử bán dẫn AIIBVI tại đây